Об'єкт дослідження - атомно-чисті та модифіковані шляхом створення наноструктур, зниженої розмірності, іонного та електронного зондів поверхні перспективних матеріалів електронної техніки.
Мета роботи - Отримання на атомному рівні фундаментальних данихпро фізичні властивості поверхонь та процеси, що відбуваються на атомно-чистих та модифікованих шляхом створення наноструктур зниженої розмірності, іонного та електронного зондів поверхнях перспективних матеріалів за допомогою комплексу методів скануючоїтунельної, атомно силової та електронної мікроскопії, електронної спектроскопії. Дослідження процесу взаємодії електронів та іонів малих та середніх енергій з поверхнею твердих тіл та створення кількісних основ електронної спектроскопії приповерхневих шарів для контролю складу та структури об'єктів нанометрових розмірів.
Методи дослідження - методи електронної спектроскопії, скануюча тунельна мікроскопія, електронна мікроскопія, квантовохімічні методи комп'ютерного моделювання.
Суттєво вдосконалившинаші методи досліджень та розробивши нові різновиди цих методів, нам вдалося отримати нові дані про взаємодію електронів та іонів середніх енергій з твердим тілом. А саме, наявність подвійних ковалентних зв'язків в аморфних оксинитридах, дисперсійні властивості поверхневих плазмонів в Іn та А1, існування мультипольних плазмонів умови рівномірної ерозії поверхні металів під дією іонного бомбардування тощо.
Вдосконалення методики СТМ іn-situ дозволило отримати нові динамічні властивості димерів Ві на поверхні Sі та вперше вказати на важливість узгодженої дифузії декількох димерів, що розширило уявлення про процеси самоорганізації адсорбованих шарів на поверхнях напівпровідників.
Комплексні експериментальні дослідження поведінки адсорбованих та коадсорбованих шарів на поверхнях Sі і Gе та чисельне моделювання деяких із цих впливів дозволило отримати нові фундаментальні відомості про властивості напівпровідникових поверхонь та процеси, що відбуваються як на атомно чистих, так і на модифікованих (адсорбцією, коадсорбцією, окисленням розу порядкуванням, іонним травленням та відпалом тощо) поверхнях. Отримані результати потрібні для розробки перспективних матеріалів мікро та наноелектроніки.
Результати НДР впроваджено: в навчальний процес радіофізичного факультету Київського національного університету імені Тараса Шевченка.
