Теоретично розглянуто вплив домішки на стаціонарні режими повзучості опромінених матеріалів у рамках моделі ковзання дислокацій, що лімітоване їх переповзанням. Ураховано, що ковзальна дислокація здатна захоплювати точкові дефекти та їх малі скупчення, а атоми домішки можуть утворювати комплекси атом домішки - вакансія.
Показано, що залежно від умов опромінення та властивостей опромінених матеріалів існують один або два стійкі режими стаціонарної повзучості.
Within the framework of the dislocation climb-glide model a theoretical approach to impurity on the stationary creep"s states of materials under irradiation. It takes into account that glide dislocation can capture point defects and their small clusters and also impurity can make up impurity-vacancy.
It is shown that depending on conditions of the irradiation and characteristic irradiated material exists or one, or two inconvertible states of the stationary creep.
