Запропоновано експресну методику для визначення товщини та швидкості росту шару поруватого кремнію під час електрохімічного травлення кремнієвої платини в розчині плавикової кислоти. Методика базується на вимірюваннях відбитого лазерного променя під частравлення. Наведено результати чисельного моделювання залежності коефіцієнта відбиття поруватого кремнію від товщини шару.
The rapid technique to define the thickness and rate of porous silicon layers growth during the electrochemical etching of silicon slab is suggested. The method is based on the measurement of reflected laser beam during etching process. The results of numerical simulation of reflection coefficients versus porous silicon layer thickness are presented.
