В роботі виконані експериментальні дослідження впливу термічних процесів та опромінення [гама]-променями на еволюцію дислокаційних ансамблів в тонких шарах монокристалічного кремнію багатошарових структур.
Показано, що еволюція дислокаційних сегментів призводить до розташування їх вздовж кристалографічного напрямку типу [110]. В даному випадку орієнтованого розташування дислокацій відбувається погіршення параметрів готових мікроелектронних приладів.
