Опис документа

Капілярним методом досліджена дифузія радіоізотопів [верхній індекс 125]Sb, [верхній індекс 110m]Ag, [верхній індекс 65]Zn, в чистих рідких In, Sn та розплавах In (443-643 К), Sn (513, 533 К), насичених домішками O, N (<0,1% ат.). Присутність кисню та азоту в розплавах In, Sn не зменшує коефіцієнти дифузії [верхній індекс 125]Sb, [верхній індекс 65]Zn, [верхній індекс 110m]Ag порівняно з відповідними значеннями атомарних коефіцієнтів дифузії цих ізотопів в чистих In, Sn. Якщо в радіоізотопній мітці поряд з O, N є домішки Ga (50%), то експериментальні коефіцієнти дифузії [верхній індекс 125]Sb значно зменшуються, що свідчить про дифузію [верхній індекс 125]Sb як в атомарному вигляді, так і у вигляді комплексів (мікроугрупувань) типу Ga[нижній індексx] Sb[нижній індекс y] O[нижній індекс z] (чи N[нижній індекс z]). Показано, що отримана з дифузійних даних температурна залежність концентрації комплексів в розплавах In добре описується в рамках флуктуаційної моделі дисоціації комплексів. Виявлені комплекси складаються з 5-6 атомів (можливо це Ga[нижній індекс 2] Sb О[нижній індекс 2] (чи N[нижній індекс 2])), мають ефективний діаметр 10[верхній індекс -9]м, температуру дисоціації 573 К, відповідно, енергію дисоціації [приблизно дорівнює] 0,05 еВ/атом, їх час життя становить декілька годин, відповідальними за зв"язок молекул і атомів в комплексах напевно є сили Ван-дер-Ваальса.