|
-
Ключові слова:
лазерне випромінювання, лазерное излучение ; напівпровідникові кристали, полупроводниковые кристалы ; поверхневі явища в напівпровідниках, поверхностные явления в полупроводниках
-
Анотація:
Досліджуючи вплив наносекундних імпульсів рубінового лазера на морфологію монокристалів GaAs і InSb та застосовуючи методику прямого спостереження плавлення поверхні напівпровідників із попередньо нанесеним мікрорельєфом, були встановлені порогові значення густини енергії Е[верхній індекс InSb, нижній індекс пор] [приблизно дорівнює] 0,14 Дж/кв.см, Е[верхній індекс GaAs, нижній індекс пор] [приблизно дорівнює] 0,21 Дж/кв.см.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ
|
