Опис документа

Автор: Заболотний М.А., Куліш М.П., Дмитренко О.П., Харкянен В.М., Барабаш Ю.М., Кобус О.С., Стасюк К.В.

В роботі досліджуються залежності квантового виходу фотогенерації носіїв струму в аморфних молекулярних напівпровідниках. В експериментах для вимірювань спектральної чутливості використовуються зразки з тонких шарів карбазолмістких матеріалів отриманих за допомогою поливу толуольних розчинів. Установлено зменшення величини квантового виходу фотогенерації при збільшенні довжини світлової хвилі. Запропонована феноменологічна модель процесу термалізації, що пояснює цю закономірність, яка заснована на припущенні ньютонівського характеру залежності швидкості енергетичних втрат нерівповажним електроном. В рамках моделі встановлено залежності довжини і часу термалізації від частоти збуджуючого світла, температури аморфних молекулярних напівпровідників (АМН) та параметра, що визначає швидкість втрати надлишкової енергії нерівноважним носієм електричного заряду.

Quantum output of the photogeneration dependences of current transmitters at the amorphous molecular semiconductors are explored in these work. For experimental measurments of the spectral sensitiveness carbazoleconteining materials thin layer samples were prepeared by pouring on of toluol solutions and used. Value reduction of the quantum output of the photogeneration were determined with light wave length increasing. We offer a phenomenological model of the thermalization process, that could explain this conformity to the law, which is based on the supposition of newtonian character of the speed power losses dependence by a nonequilibrium electron. Within model frameworks the thermalisation dependences of length and time are set on excitant light frequency, amorphous molecular semiconductors (AMS) temperature and parameter, that determines speed losses of surplus energy by the nonequilibrium electric charge transmitter.