У роботі представлені результати квантово-хімічних розрахунків процесів адсорбції атомів фосфору на поверхні SiO2/Si(100). Оцінюються енергетичні характеристики адсорбції, обчислені геометричні та електронні характеристики структур, що утворюють атоми фосфору при адсорбції на поверхні SiO2/Si(100).
Results of quantum-chemical calculations of phosphorus atoms adsorption at the SiO^SiflOO) surface are presented in the work The power characteristics of adsorption process were estimated. Geometrical and electronic characteristics of structures which phosphorus atoms form during adsorption at the SiO/SiflOO) surface were calculated.
