Запропонована методика контролю типу і розподілу структурно-домішкових дефектів в поверхневому шарі кремнію методом декорування. Концентрація поверхневих дефектів суттєво залежить від кристалічної орієнтації кремнію, що визначає відмінності в умовах формування реакційних шарів.
The technique of the control such as and distribution structurally - impurity defects in surface layer of silicon by a method of dressing is offered. The concentration of surface defects essentially depends on crystalline orientation of silicon, that determines differences in conditions of formation of reactionary layers.
