радіаційне легування, радиационное легирование ; дія випромінювання на напівпровідники ; фізика напівпровідників, физика полупроводников
У статті представлені матеріали дослідження впливу опромінення за допомогою швидкими нейтронами напівпровідникових сполук сульфіду кадмію CdS і арсеніду галію GaAs. Показано можливость одержання шарів з дірковою провідністю в монокристалах цих напівпровідникових сполук. Описано ядерні реакції, що відбуваються в кристалах при впливі нейтронів і, що приводять до легування акцепторами.
In the article the materials of examination of influence of an irradiation by means of prompt neutrons of semiconductor linkings of sulphide of cadmium CDS and arsenide of gallium GaAs are presented. Possibility reception of stratums from a hole conductivity in monocrystals of these semiconductor linkings is shown. Kernel responses which occur in crystals at influence of neutrons are featured and that lead to doping acceptors.
