Наведено результати одночасних експериментальних досліджень фосфоресценції та релаксації струму провідності в монокристалічному селеніді цинку після фото- і рентгенівського збудження. Кінетика процесу фосфоресценції після зон-зонного
фотозбудження ZnSeзнаходить пояснення в рачках кінетичної теорії люмінесценції кристаюфосфорів. Натомість, після рентгенівського збудження зразків кінетика фосфоресценції і релаксації струму може змінюватися суттєвим чином. Спостережено, що показник гіперболи релаксації струму більший за показник гіперболи затухання фосфоресценції. Цей експериментальний факт не можна пояснити в рамках класичної кінетичної теорії фотолюмінесценції та фотопровідності. Також проведено аналіз стрибків в інтенсивності люмінесценції та величині струму провідності після припинення опромінювання зразка, які свідчать, про визначальний вплив характеру збудження.
The results of simultaneous experimental researches of phosphorescence and relaxation of conductivity are resulted in crystal ZnSe after photo- and x-ray excitation. Kinetics of phosphorescence after photoexcitation of ZnSe finds explanation within the framework of kinetic theory of luminescence. But, after x-ray excitation of standards kinetics of phosphorescence and the relaxation of current can change. Observed, that index of hyperbola of relaxation of current mart then index of hyperbola of phosphorescence. This experimental fact can not be explained within the framework of classic kinetic theory of photoluminescence and photoconductivity. Tne analysis of jumps is also conducted and intensity of luminescence and size of conductivity after stopping irradiations shows about the determining influencing of character of excitation.
