комбінаційне розсіювання світла, комбинационное рассеяние света ; електронні схеми, электронные схемы
Експериментально вивчені форма і інтенсивність широкосмугового фону в спектрах КР світла для ряду еталонних рідин: С6Н6, CS2, CCL4, SiCL4, CH2CL2, CHCL3, CH3OH. CH3CN, CH3OOH і H2SO4. Проведено огляд робіт по дослідженню фону і проаналізовані можливі механізми його виникнення. Показано, що неперервна частина спектра КР обумовлена новими коливально індукованими електронними станами, широкі смуги яких спостерігаються разом з бильш вузькими коливальними смугами. Концепція, що розвивається, дозволяє пояснити багато властивостей фону КР, наприклад, положення максимумів і виникнення структури фону в CS2 і H2SO4. суттєві термічні залежності. На основі вивчення фону КР може бути заснований новий спектральний метод.
The form and intensity of a broadband background in Raman spectra for some refferrence liquids6: С6Н6, CS2, CCL4, SiCL4, CH2CL2, CHCL3, CH3OH. CH3CN, CH3OOH and H2SO4 are experimentally studied. The review of works on background research is lead and possible mechanisms of its appearance are analyzed. It is shown, that the continuous part of Raman spectrum is caused by new vibration induced electronic states which wide bands are observed together with narrower vibration bands The concept that develops, allows to explain типу properties of Raman background, for example, maxims position and appearance e of background structure in CS2 and H2SO4 and essential thermal dependences. On the basis of studying Raman background the new spectral method can be based.
