Золь-гель технологію застосовано для створення газочутливого шару напівпровідникового сенсору на основі оксиду олова (IV), легованого добавками оксиду стибію (ІІІ) в кількості 0,15 мол. % із використанням етандіолу-1,2 в якості розчинника та заміщуючогореагенту. Вивчено залежність величини сигналу сенсору на основі створеного матеріалу від концентрації Н2 в повітрі. Показано, що чутливість такого сенсору по відношенню до 40 ppm Н2 у повітрі більша, ніж для сенсору, створеного на основі традиційного матеріалу, отриманого методом співосадження гідроксидів олова та стибію з водного середовища.
A Sol-Gel technology approach was used for creation of a sensitive layer of a semiconductor gas sensor on the base of SnO2 doped with Sb2O5 additives (0,15 mol %). Ethanediole-1,2 was utilized in the capacity of a solvent and substituting reagent. On the base of the obtained material a sensor was fabricated and dependence of its signal on the H2 concentration in air was studied. Higher sensitivity of the sensor towards 40 ppm of H2 in air was observed comparing to a sensor made on the base of material obtained via traditional co-sedimentation-from-water method.
