Проаналізовано внесок різних факторів у диференційно-фазовий фотовідповідний сигнал. Проведено оцінку величини цих вкладів та визначено умови спостереження сигналу. Отримані експериментальні дані дають залежності фази відгуку від різницевої частоти зондуючих променів та напруги, прикладеної до переходу, що дозволяє оцінити час релаксації носіїв та інші параметри.
Ключові слова: скануюча мікроскопія, фотоелектричний відгук, напівпровідникові структури.
The impact of different factors into differential-phase LBIC signal was analyzed. The magnitude of these factors was estimated. Experimental dependences of LBIC phase on the differential frequency of scanning beams and on voltage applied to the sample were obtained.
Key Words: scanning microscopy, LBIC, semiconductor structures.
