У роботі проведено детальне дослідження структурних і фотолюмінесцентних
властивостей, а також елементного складу плівок паноструктурованого кремнію Встановлено, що модифікація поверхні пілкладок монокристалічного кремнію шляхом їх високотемпературного відпалу приводить до збільшення інтенсивності фотолюміненесценції плівок нанострукппрованого кремнію сформованих на них у - 1,5-2 рази. Отримані результати пояснюються на основі структурних знім, що приводять до більш активного процесу формування наноструктурованого кремнію на відпалених підкладках. Показано, щозміна фотолюмінесцентних властивостей
наноструктурованого кремнію при відпалі залежить не тільки від перебудови наноструктури, але і від зміни його елементного складу.
Ключові слова: монокристалічний кремній, наноструктуровачний кремній, фотолюмінесценція.
In the work detailed of structural and photo-luminescent properties element composition of films of nanostructured silicom is conducted. It is eslablished that modification of a surface of a strate of single-crystal silicon by its hіgh temperature annealing leads to increase in intensity of а рhotoluminescence of nanostructured silicon in -1,5- 2 times. The received results can be explained on the basis of the structural changes leading to more active process of formation of nanotructured sіlicоn on annealed substrates. It is shown that change of photo-luminescent properties of nanoitructured silicon at аnnеalіng depends not only on change of nanostructure, but also from change of us element соmpositіоn.
Key Words: single-crystal silicon, nanastructured silicon, photo-luminescent.
