|
-
Ключові слова:
наноструктури, наноструктуры ; чисельне моделювання, численное моделирование ; економічні кластери, экономические кластеры
-
Анотація:
В статті аналізується чисельне моделювання поширеної гетерогенної GaAs/AlGaAs структури. Вивчаються властивості електронного транспорту у цих структурах. Для моделювання неперервна система диференціальних рівнянь зводиться до дискретної системи алгебраїчних рівнянь Для покращення методу алгоритм було адаптовано для високошвидкісного кластера і розподіленою пам"яттю за допомогою описаного метода розпаралелювання.
The article analyzes the numerical simulation of commonly used gated GaAs/AlGaAs heterostruaure. The electron transport properties of these nanoslructitres have been studied. For simulation the continuous system of differential equations are transformedinto a discrete system of algebraic equations. To improve the simulation method the algorithm was adapted for parallel high performance cluster with distributed memory using the described parallelization method.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ
| 