Проведено моделювання волът-фарадних характеристик для контакту метал-напівпровідник з кількома шарами квантових точок в області просторового заряду напівпровідника. В роботі отримано аналітичні вирази для окремих ділянок вольт-фарадних залежностей, де заряд, накопичений у квантових точках може суттєво збільшуватися і, відповідно, впливати або не впливати на величину ємності структури. Було показано, що для напівпровідників р- та n-типу ділянки, де має спостерігатися вплив шарів квантових точок на вольт-фарадну залежність, повинні знаходитись у дещо різних діапазонах прикладених напруг.
Ключові слова: квантова точка, диференціальна ємність, вольт-фарадна характеристика.
Modeling of several quantum dots layers installed into space charge region influence on voltage-capacitance characteristic has been carried out. Precise equations for voltage-capacitance dependence of metal-semiconductor structure taking into consideration the presence of quantum dots levels in it have been obtained.
Theoretical data for cases of low and high frequencies have been compared with experimental data. Equations for voltage-capacitance dependence calculation can be used for determination of quantum dots parameters.
Key words: quantum dot, deep level, voltage-capacitance characteristic.
