Розроблено та створено автоматизовану установку для дослідження вольт-фарадних та вольт-провідносних характеристик напівпровідникових бар"єрних наноструктур. Висока чутливість роздільна здатність та точність установки забезпечується використанням двополярного високорозрядного цифроаналогового перетворювача та усереднення результатів спостереження. Показано, що створена установка дозволяє виявити тонкі особливості електрофізичних характеристик складних поверхнево-бар"єрних наноструктур.
Ключові слова: вольт-фарадна характеристика, наногетероструктура, квантова точка.
The automatic setup for the investigation of voltage-capacitance and voltage-conductance characteristics of the semiconductor nanostructures with barriers were designed and created. Highsensitivity and high abilities of separation were provided using bothpolarity highnumeric digital analog convener and by averaging the obtained results. It was shown that created setup was able to reveal the detail peculiarities of the electrophysical characteristics of the complicated surface-barriers nanostructures.
Key Words: voltage-capacitance characteristic, nanogeterostructure, quantum dot.
