Досліджено зміну вольт-амперних характеристик гетероструктур GaAs/AlGaAs з квантовими ямами під впливом ультразвукового навантаження. Показано, що експериментально зареєстровані зміни пов"язані із перезарядкою дефектів структури під дією ультразвуку.
Ключові слова: гетероструктура. ультразвук, вольт-амперна характеристика.
Voltage-current characteristics ofGaAs/AIGaAs quantum well heterostructures under ultrasound-loading have been studied. It is shown, that ultrasound-loading results in re-charging structural defects.
Key Words: helerostructure. ultrasound, voltage-current characteristic.
