За допомогою методів дифракції повільних електронів, фото- та оже-електронної спектроскопій досліджені зміни структури та електронних властивостей інтерфейсів Sb a-Ge(111) при їх відпалі до температури упорядкування. Встановлено, що при перших ознаках упорядкування формується електронна структура поверхневих електронних станів, пов"язаних з напруженнями в приповерхневому шарі.
Ключові слова: Sb, a-Ge(111), інтерфейс, упорядкування, поверхневі стани, робота виходу, загин зон.
The modification of the structure and electronic properties of the Sb a-Ge(111) interfaces have been investigated using Auger electron spectroscopy, ultraviolet photoelectron spectroscopy and low energy electron diffraction. It is established, that at the first features of ordering the electronic structure of the surface electronic stales related with strain in subsurface area is formed.
Keywords: Sb a-Ge(111), interface, ordering, surface states, work function, band-bending.
