В роботі розглянуто ростові та чисто кристалізаційні причини нерівномірного розподілу фонових домішок у розплавних монокристалах. Аналізуються особливості високоомного стану монокристалів CdTe з утворенням канальної провідності. Показано незастосовністьдіагностики високоомних монокристалів методами ефекту Холла та термозонду. Запропоновано безконтактні методи діагностики рівня фонового забруднення та визначення типу провідності. Проаналізовано типові види точкових дефектів та вказані шляхи зменшення їх загальної концентрації.
Кпючові слова: CdTe, Cd1-хZnхTe [подано формулу] розплавні монокристали
In this paper are considered growth and it is pure crystalline reasons of non-uniform distribution background impurity at monocrysluls grown from fusion. Features of high ohmic conditions monocrystals CdTe with formation of channel conductivity are analyzed. It is shown inapplicability of diagnostics high ohmic monocrystals by methods to the Hall effect and thermoprobe. Are offered noncontact methods of diagnostics of a background pollution level and definition of conductivity type. Typical kinds of dot defects are analysed and shown wais of reduction of their concentration.
Key Words: CdTe, Cd1-хZnхTe, monocrystals grown from fusion.
