Найбільш імовірні місця адсорбції одного, двох та трьох атомів кисню досліджено за допомогою розрахунків з перших принципів. Встановлено, що найбільш енергетично вигідним є формування Si2+ координованого оксиду, таким чином, щоб утворювались зв"язки Si-O-Si, що виникають між атомом поверхневого димеру та атомами другого шару. Встановлено, що кисень може спричиняти перемішування Si і Ge, що в свою чергу, може призвести до зміни бар"єрів дифузії і хемосорбції. Взаємодія кисню з поверхнею не є виключно локальною.
Ключові слова: адсорбція, окислення, оксидні стани.
The most stable adsorption sites for one, two and three oxygen atoms have been investigated by using of first principles calculation. Core level shifts for Si1+ , Si2+ and Si3+ stable configurations have been computed. It has been found that the formation of Si2+ species is energetically favorable in agreement with experiment. Oxygen atom promotes mixing of Si and Ge atoms that results in the changes of the atomic oxygen chemisorption energies. The interaction of oxygen atoms with Ge/Si(001) surface is non-local.
Key Words: adsorption, oxidation, oxide species.
