За допомогою методів дифракції повільних електронів, фото- та Оже-електронної спектроскопій досліджені структура та електронні властивості інтерфейсів Sb/Ge(111). Встановлено перехід від с(2х8) до 7x7 структури на поверхні Ge(111) після нанесення 0,4-0,8 МШ Sb та наступного відпалу до 350 C. Досліджено особливості змін електронної структури валентної зони, загину зон та роботи виходу в залежності від ) Sb та температури відпалу інтерфейсів.
Ключові слова: Ge(111) 7x7, Sb, інтерфейс, робота виходу, загин зон.
The structure and the electronic properties of the Sb/Ge (111) interfaces have been studied by use of low energy electron diffraction, photoelectron and Auger electron spectroscopies. The change from c(2x8) to 7x7 structure of the Ge(l11) surface after deposition 0,4-0,8 ML and subsequent annealing to 350 C is determinated. The peculiarities of changes of valence band electronic structure, band bending and work function depending on 0Sb and interface annealing temperature are investigated.
KeyWords: Ge(111) 7x7, Sb, interface, work function, band-bending.
