Досліджено суттєве збільшення прямого опору кристала напівпровідникового діода під впливом різної кількості поодиноких імпульсів ударного струму. Показано, що при струмах менше величини ударного струму (Іпр,уд) значення опору та надійність роботи такогодіода не змінюється. При Іпр,уд опір діода починає збільшуватися під час кожного повторного імпульсу, і після декількох імпульсів діод виходить з ладу. Ефекти, що спостерігаються, пояснені тим, що при такому різко неоднорідному розігріві за рахунок термічних механічних напруг виникають дефекти і мікротріщини в напівпровідниковому кристалі, що призводять до появи додаткових рівнів рекомбінації. При цьому час життя носіїв заряду зменшується, ефективний прямий опір діода збільшується, що призводить до збільшення виділеної на ньому потужності і виходу його з ладу.
Ключові слова: ударний струм, опір, розігрів, дефекти, центри рекомбінації, час життя.
It was made the research of the rectifier diode direct resistance increases under the influence of the different number surge current single pulses. It was shown, that currents lower than surge current didn"t change the resistance value. The work reliability of such a diode doesn"t change. When the current value is equal to surge current the diode resistance begins to increase after each repeated impulse and after few pulses the diode breaks. At the same time its direct resistance increases approximately twice and the temperature essentially exceeds the allowable value. The observable effects may be explained by the fact, that after such a heterogeneous heating the defects and microcracks appear in semiconductor crystal, what causes to the appearance of the extra recombination levels. With all this going on the lifetime of the carriers decreases, the effective direct resistance increases and this is a reason of the power increase and breaking the diode.
Key Words: surge current, resistance, heating, defects, recombination level, lifetime.
