В роботі представлені результати квантово-хімічного моделювання процесів взаємодії атомарного водню з поверхнею Ge(100), що містить вакансійний дефект. Досліджуються процеси, що можливі при взаємодії атомарного водню з дефектною поверхнею Ge(100) вакансійного типу. Розраховано енергетичні характеристики можливих фізичних і хімічних процесів у системі "кластер - водень".
Ключові слова: кластер, МЗДП, водень, моногідридна поверхня Ge(100).
The results of quantum-chemical simulation of hydrogen interaction with vacancy defect on Ge(100) surface are presented in this work.
The possible processes of atomic hydrogen interaction with vacancy defect on Ge(100) surface are study.
Energy characteristics for possible physical and chemical processes in the system "cluster -hydrogen" are calculated.
Key Words: cluster, dihydride surface, monodihydride surface.
