За допомогою методів Оже- та фотоелектронної спектроскопій було досліджено формування інтерфейсу Аи з пасивованою моношаром атомів Sb поверхнею Si(111)1x1:Sb в порівнянні з формуванням інтерфейсу Au/Si(111)7x7. Встановлено, що присутність атомів Sb на поверхні Si(111) приводить до значного зменшення хімічної взаємодії та перемішування між атомами Аи та Si, яке має місце при формуванні інтерфейсу Au/Si(111) 7х7.
Ключові слова: поверхня Si(111)-7х7, Аu, Sb, адсорбція, сурфактант.
The Au/Sb terminated Si(111)1x1:Sb interface formation in comparison with Au/Si(111)7x7 interface formation were investigated by means of Auger electron spectroscopy and the ultraviolet photoelectron spectroscopy. It has been shown that the presence of Sb atoms on the Si(111)surface resulted in significant reduction of the chemical interaction and mixing between Аu and Si atoms that have taken place on Au/Si(111)7x7 interface.
Key Words: Si(111)-7x7 surface. Аu, Sb, adsorption, surfactant.
