Проаналізовано відомий метод дослідження спектру поверхневих електронних станів в контакті метал-напівпровідник з бар"єром Шоткі. Показано, що, не зважаючи на некоректність деяких операцій, C-V метод дає якісно вірний результат щодо характеру розподілу поверхневих електронних станів на границі проміжний шар - напівпровідник в діодах Шоткі.
Ключові слова: контакт метал - напівпровідник, бар"єр Шоткі. проміжний шар. C-V характеристика, поверхневі стани.
The widely used method of surface electron slatesspectrum investigation in the metal-semiconductor contact with Schottky barrier was analyzed. The C-V technique was shown to give the correct distribution of surface electron stales on the intermediate layer-semiconductor boundary in Schottky diodes in spite of the non-correct some operations.
Key words: metal-semiconductor contact, Schottky barrier, interface layer, C-V characteristics, surface states.
