Проаналізовано вплив ультразвукової обробки на розподіл радіаційних дефектів в кремнії методом вивчення спектрів фотопровідності. Показано, що вона приводить до часткового відпалу дефектів із зменшенням неоднорідності їх розподілу вглибину зразка.
Ключові слова: ультразвук, радіаційні дефекти, фотопровідність.
The influence of ultrasonic treatment on the distribution of radiation defects in silicon is analysed by using photoconductivity spectra. The treatment is shown to yield a partial annealing of the defects decreasing the nonuniformity of their distribution inside the sample.
Key Words: ultrasound radiation defects, photoconductivity.
