Вивчено фотоелектричні властивості кремнієвих структур з квантовими точками Ge. Досліджено спектри фоточутливості і вольт-амперні характеристики при 90 та 293 К. Виявлено від 'ємну фотопровідність в зразках в області 0.6 -1.1 еВ. Виміряно та проаналізовано аномальну температурну залежність фото-ЕРС в температурному інтервалі від 100 до 250 К.
Ключові слова: квантові точки, від"ємна фотопровідність, фотоелектричні властивості.
Photovoltaic properties of Si samples with Ge quantum dots were studied. Pholosensitivity spectrum, and current-voltage characteristics at 90 and 293 К were investigated. Negative photoconductivity of samples was found in spectral range 0.6 1.1 eV. Irregular temperature dependence of photo-emf in temperature interval from 100 to 250 К was measured and analyzed.
Key Words: quantum dots, negative photoconductivity, photovoltaic properties.
