За допомогою методів ультрафіолетової фотоелектронної спектроскопії, Оже електронної спектроскопії та дифракції повільних електронів досліджено формування інтерфейсів Sb з атомарно чистими поверхнями Si(100)-2x1, Si(111)-7x7 та аморфізованими іонами Аr поверхнями a-Si(100) та a-Si(111). Встановлено відмінності у поведінці перебудови поверхні, роботи виходу та загину зон, що мають місце при формуванні відповідних інтерфейсів.
Ключові слова: Sb, сурфактант адсорбція, Si(111)-7x7, Si(100)2x1, робота виходу, загин зон.
The formation of Sb interfaces with the atomically clean Si(100)-2x1, Si(111)-7x7 surfaces and amorfized by Ar ions a-Si(100) and a-Si(111) surfaces have been investigated using Auger electron spectroscopy, ultraviolet photoelectron spectroscopy and low energy electron diffraction. Differences in behaviour of surface reconstruction, work function and band-bending which take place at the formation of the corresponding interfaces have been established.
Keywords: Sb, surfactant, adsorption, Si(111)-7x7. Si(100)-2xl, work function, band-bending.
