У роботі досліджено нестаціонарне поширення тепла крізь р-п перехід напівпровідникового діодного кристала при його імпульсному розігріві з однієї сторони. Виявлено різну швидкість проходження теплового фронту вздовж кристала в залежності від його орієнтації. Дано пояснення ефектів, що спостерігаються.
Ключові слова: температура, аномальність, діод, теплопровідність.
By the investigating of the unsteady heat conductivity trough the p-n junction of a silicon diode by the pulsed one-sided heating was revealed the phenomenon of heat flow inequality. There are discussed the explanation of this effect.
Key Words: temperature, abnormality, diode, thermal conductivity.
