Проведено моделювання вольт-фарадних характеристик дня контакту метал-напівпровідник з вбудованим шаром квантових точок. Було побудовано фізичну модель структури, яка дозволяє пояснити причину виникнення негативної диференціальної ємності, що спостерігалась експериментально. Також досліджено вплив на цей ефект геометричних параметрів структури, температури та концентрації квантових точок.
Ключові слова: квантова точка, негативна диференціальна ємність, вольт-фарадна характеристика.
Modeling of capacitance voltage characteristics for metal-semiconductor contact with quantum dots layer has been carried out. Physical model of structure which can explain the cause of the negative differential capacitance appearance having been observed experimentaly, was created. Influence of the geometrical parameters of the structure, temperature and concentration of QD on this effect has been investigated too.
Key words: quantum dot(QD), negative differential capacitance, capacitance-voltage characteristic.
