Досліджено можливість використання нанокристалічних шарів поруватого кремнію з вбудованими іонами Cs+ для створення інверсійної області в сонячних елементах МДН типу. Обговорюються технологічний процес формування елемента. Порівнюються експериментальні параметри таких сонячних елементів з теоретичними значеннями, які отримані чисельним моделюванням за допомогою програми PCІD.
Ключові слова: сонячний елемент, поруватий кремній, інверсійний шар.
Application of nanocrystalline porous silicon layer with incorporated Cs+ ions to create the inversion channel m silicon MIS solar cell is proposed. The cell formation technology is presented. Both the experimental parameters and numerical simulated ones by soft package PCW are discussed.
Key Words: solar cell porous silicon, MIS with inversion layer.
