Проведено теоретичний розгляд явища дегібридизації для інтерметалічних ізоструктурних сполук ряду RAlSi2 (R - Sm,Eu,Gd,Tb,Er,Yb). Показана фізична природа виникнення б-подібного піку[подано формулу], величина якого пропорційна N кількості вузлів, утворених структурними елементами R-Si. В порівнянні з одиничною домішкою величина б-подібного піку[подано формулу] зростає в N раз. Це обумовлено тим. що R-Si -орбіталі відіграють роль електронних дефектів, періодично розташованих у межах всієї кристалічної решітки. Проведені експериментальні та теоретичні дослідження показали високу ступінь кореляції і самоузгодженості. Це дозволяє розглядати атомні зв'язки R-Si як своєрідні електронні дефекти, що сильно збурюють електронну систему сполук ряду RAl2Si2 Це збурення проявляється у виникненні інтенсивних резонансних піків електронних станів, що формуються у валентній зоні досліджених інтерметалідів в результаті дії дегібридизаційного фактору.
Ключові слова: дегібридизація, електронна структура, електронні дефекти.
Thе theoretical consideration of degibridization phenomenon for intermetallic izostructural compounds of RАl2Si2 (R - Sm, Eu,Gd, Tb, Er, Yb) row has been performed. The physical nature occasion of б-like[...] hump, value of which is proportional to N the number of lattice sites formed by R-Si structural elements. In comparison with single admixture the value of б-like[...] hump is more in N times. This is caused those, as R-Si - orbitals are played role of electronic perfections, which is periodic location in the frame of crystal. Performed theoretical and experimental investigation is shown great degree of correlation and selfconsistency. This give possibility to view R-Si bonds as specific electronic defects, which is strongly perturbed electronic system of RAl2Si2 compounds. Such perturbation is displayed in arising intensive resonance humps of electronic slates, which are formed in valence zone developed intermetallids as a result degibridization factor action.
Key words: degibridization. electronic structure, electronic defects.
