Експериментально зареєстрований вплив ультразвукової обривки на спектральний склад фотолюмінесценції поруватого кремнію Наведені дані підтверджують досить складний механізм виникнення фотолюмінесценції на межі "Si кристаліт-аморфна матриця". Висунуте припущення, що ультразвукова обробка здатна впливати на процеси переносу енергії в системі "Si наночастка-аморфна матриця-центр люмінесценції".
Ключові слова: ультразвукова обробки, порушники кремній, фотолюмінесценція.
Ultrasonic treatment is found to affect the spectral shape of the porous Si pholotuminescence. The data obtained support a complicated nature of the luminescence mechanism which arises in between the Si crystallites and amorphous matrix. It is suggested that the ultrasonic treatment influences the energy transfer processes between the crystallites and luminescence centers.
Key Words: ultrasonic treatment, porous silicon, photoluminescence.
