Процес дифузії В-димеру Ge-Ge на поверхні Ge(100) досліджено за допомогою розрахунків з перших принципів. Знайдено два найбільш імовірні шляхи дифузії В-димеру: шлях І відповідає корельованому руху адатомів, шлях II відповідає руху цілого димеру. Отримано, що енергії бар'єрів для обох шляхів є практично однаковими, а величина енергетичного бар'єра для дифузії В-димеру германію вздовж димерного ряду на поверхні Ge(100) становить близько ~0,9 еВ для обох шляхів.
The diffusion of Ge-Ge ad-dimer on top ofthe substrate dimer rows of Ge(001)2x1 has been investigated by using ab initio calculations. Two most favourable paths for the on-top diffusion of B dimer were found. Path I is the correlated motion of adatoms. Path II is the motion of the intact addimer. Obtained energies of the transition state for pathways I, II are practically the same. The energy barriers for B ad-dimer diffusion are about ~0,9 eV for the both paths.
