Досліджено особливості перехідних процесів при протіканні імпульсу струму в р+-р-р+ польових транзисторах, виготовлених за технологією "кремній на ізоляторі". На базі аналізу фізичної моделі дано пояснення відсутності коливань струму та напруги в досліджуваних структурах.
The characteristic of transient processes in the р+-р-р+ field transistors made by means of "silicon with the insulation layer" was studied by loading them with electric current impulse. The analysis of physical model enabled to explain the nonoccurrence of voltage and current oscillation in studied transistors.
