В двовимірних плівках Іn2О3 в інтервалі температур Т=(4,2-50)К досліджені магнітопольові залежності кінетичних коефіцієнтів. Знайдено аномальну залежність холівської рухливості мh від магнітного поля В. Показано, що залежність холівської рухливості мh від поля В визначається спін-залежною інтерференцією електронних хвиль, а її аномальна частина с наслідком індукованої магнітним полем локалізації електронів. Визначені межі застосування класичної теорії Хола і коректного визначення рухливості м і концентрації Г в умовах локалізації. Визначена величина ефективної маси електронів m* в досліджуваних плівках.
Ключові слова: оксид індію, двовимірний електронний газ, аномальний магнітоопір.
The dependences of the transport parameters of the two dimensional Іn2О3 films upon the magnetic field В at the temperature interval T=(4,2-50)K were investigated. The anomalous dependence of the Hall mobility мh upon the magnetic field В is founded. The dependence of Hall mobility мh, upon the field В is explained by spin-depended interference of the electronic waves, and its anomalous part is result of electron localization induced by magnetic field. The limits of the classic Hall theory application, the correct definition of mobility м and concentration Г in the conditions of localization are founded. The value of effective electron mass m* in the explored films is determined.
Key Words: indium-tin oxide, two dimensional electron gas, anomalous magnetoresistivity.
