Описано дослідження ефектів, що виникають у кремнієвих дифузійних резисторах, виготовлених за технологією "кремній з діелектричною ізоляцією (КСД1)" при протіканні через них струму з великою густиною. Отримані результати дозволили пояснити характерні риси різних ділянок вольт-амперних характеристик КСДІ резисторів. Запропоновано фізичну модель, що описує закономірності, які спостерігаються.
Ключові слова: коливання напруги, амплітуда, частота, шнурування, ємність.
The effects appeared inside the silicon diffused resistors, which are made by means of "silicon with the dielectric insulation" (SDI), under the conditions of electric current of high density passage are investigated. The results obtained were used to elucidate the characteristic features of some areas of SDI-resistors Volt-Ampere characteristic. There was proposed the physical model of observed phenomenon.
Key words: resistor, dielectric insulation, voltage oscillations, plasma filament, capacitance.
