Багатошарові тонкоплівкові структури з високою просторовою дисперсією представляють значний інтерес як компактні пристрої для багатоканальної частотної селекції, а також для управління пучками світла та як пристрої контролю дисперсії. Для структури з 202 шарами з високим просторовим зміщенням в спектральному діапазоні 1500-1570 нм отримано залежність амплітуди електричного поля від позиції в структурі. Дана залежність дозволяє визначити механізми виникнення високої просторової дисперсії. Для даної структури показано, що виникнення високого просторового зміщення в залежності від довжини хвилі зумовлене декількома механізмами виникнення просторової дисперсії Також показано, що ефект залежної від довжини хвилі величини накопиченої енергії (ефект резонансу) присутній не лише в півхвильовому шарі, але і в шарах з товщиною значно меншою за чвертьхвильову.
Ключові слова: багатошарова тонкоплівкова структура, просторова дисперсія, просторове зміщення.
Multilayer thin-film structures with high spatial dispersion are interesting as compact devices for wavelength multiplexing and beam-steering and dispersion-control devices. For structure which consists of 202 layers with high spatial shift in the spectral range from 1500 to 1570 nm, we theoretically calculate the E-field amplitude of the propagating wave as a function of the position in the structure. This dependence allows us to determine mechanisms of origin of high spatial dispersion. High spatial dispersion exists in this structure is due to a mixture of few dispersion effects. We also demonstrate that effect of wavelength-dependent amount of stored energy (resonance effect) exists not only in a half-wave layer but also in layers with thicknesses too much less than quarter-wave layer.
Key words: multilayer thin-film structure, spatial dispersion, spatial shift.
