У даній роботі представлені результати квантово-хімічного моделювання адсорбції атомів фосфору на поверхні SiO2/Si(100). Отримані енергетичні характеристики адсорбції. Розраховані геометричні та електронні характеристики поверхні SiO2/Si(100) з впровадженими атомами фосфору.
Ключові слова: кластер. МНДП вакансійний дефект, SiO2/Si(100).
Results of quantum-chemical calculations of phosphorus atoms adsorption an the SiO2/Si(100) surface are presented in the work. The energy characteristics of adsorption process were estimated Geometrical and еlесtrоnic characteristics of structures which phosphorus atoms form during adsorption at the SiO2/Si(100) surface were calculated.
Key Words: cluster MHDO. vacancy defects SiO2/Si(100).
