Проведено моделювання частотної залежності вольт-фарадної характеристики для контакту метал - напівпровідник з шарами квантових точок розподілених в об'ємі напівпровідника В роботі отримано аналітичні вирази вольт-фарадних залежностей для перехідних частот. Показано, що користуючись цими співвідношеннями, можна на основі експериментально отриманих вольт-фарадних залежностей визначити такі фізичні параметрів квантових точок як їх концентрація та енергетичне положення.
Ключові слова: квантова точка, глибокий рівень, вольт-фарадна характеристика.
Modelling of quantum dots layers levels influence on voltage-capacitance characteristic has been carried out. Precise equations for voltage-capacitance dependence of metal-semiconductor structure taking into consideration the presence of quantum dots levels in it haw been obtained. Theoretical data for cases of low and high frequencies have been compared with experimental data. Equations for voltage-capacitance dependence calculation can be used for determination of quantum dots parameters.
Key words: quantum dot, deep level. voltage-capacitance characteristic.
