В роботі досліджуються ефекти зміни мікротвердості в кристалах кремнію, які обумовлені комбінованою дією слабкого постійного магнітного поля та опромінення у-квантами від радіоактивного джерела 207Ві. Було виявлено, що комбінований вплив магнітної та радіаційної обробки позначається на величині і характері релаксації магнітомеханічного ефекту. Одержані в роботі результати пов'язуються з модифікацією дефектної структури кристалів кремнію.
Ключові слова: кремній, мікротвердість, радіаційне опромінення, у-кванти, магнітне поле, магнітомеханічний ефект, релаксація.
The modification effects of microhardness in silicon crystals caused by the combined action of the weak fixed magnetic field and irradiation by y-quanta from radiation source 207Bi have been analyzed. It has been shown that the combined action of magnetic and radiation treatment influences the magnitude and character of relaxation of magnetomechanical effect. The obtained results have been associated with modification the structure of silicon crystals.
Key Words: silicon, microhardness, radiation treatment, y-quanta, magnetic field, magnetomechanical effect, relaxation.
