За допомогою методів УФЕС, OEC та ДПЕ досліджені електронні властивості кристалічної Ge(111)c-2x8 та розупорядкованої іонами Аr+ a-Ge(111) поверхонь, а також інтерфейсів на них з атомами Sb в діапазоні температур 20-400 С. Встановлено складний характер зміни загину зон та роботи виходу в залежності від ступеня покриття поверхонь атомами Sb та температури прогріву інтерфейсів. Запропонована модель, що пояснює експериментальні дані.
The electronic properties of crystal Ge (111) c-2x8 and disordered by Ar ions a-Ge (111) surfaces, and interfaces on them with Sb atoms in a range of temperatures of 20-400 С are investigated. Complex character of band bending changes and work function depending on a degree of surface covering of Sb atoms and temperatures of interfaces warming up are determined. The model which explains experimental data is pro-posed.
