На основі узагальнення літературних даних та експериментів щодо опромінення варізонних епітаксійних шарів CdхHg1-xTe розглянуто вплив лазерно-індукованих ударних хвиль на властивості напівпровідників з метою подальшого з'ясування механізмів дефектоперетворення при імпульсному лазерному опроміненні. Відзначається перспективність використання лазерних ударних хвиль при оптимізації функціональних параметрів напівпровідникових структур.
On the basis of literature data and the experiments on irradiation ofepitaxial CdxHg1-xTe layers, the influence of laser-induced waves on the semiconductor properties are analyzed with a view to identification of the defect transformation mechanisms under pulsed laser irradiation, it is established that using the laser-induced shock waves is a promising method for optimization of functional parameters of semiconductor structures.
