Методом термостимульованої люмінесценції (ТСЛ) досліджено енергетичний спектр пасток нанокристалічного, мікрокристалічного та об'ємного CdS та CdSe в області 80-450 К. Показано, що для всіх зразків (нано-, мікро- та об"ємних) CdS та CdSe в області 100-350 К спостерігається одна система піків ТСЛ. За положеннями максимумів оцінено енергії активації пасток CdS та CdSe, які лежать в межах 0,14-0,64 еВ. Зроблено припущення щодо природи ТСЛ: піки, положення яких співпадають для всіх зразків, обумовлені дефектами, спричиненими вакансіями Se чи S; інші піки ТСЛ проявляються, в основному, завдяки вакансіям Cd.
Ключові слова: нанокристали, термолюмінесценція, пастки, енергія активації.
The activation energy spectra of traps in CdS and CdSe nano-, micro- and bulk crystals has been studied by the thermostimulated luminescence (TSL) methods in the temperature range 80-450 K. It was found that for all samples (nano-, micro- and bulk) CdS and CdSe one system of TSL-peaks exists. The energies of thermal activation of traps were estimated by the TSL-peak position method, they are in the range of 0,14-0,64 eV. The assumption about the nature of TSL was done: the peaks the temperature position of which are coincident for all the samples are caused by vacancies of S (Se), the others peaks exhibit due to Cd vacancies.
Key Words: nanocrystals, thermoluminescence, traps, activation energy.
