Одержано формальне інтегральне представлення функції просторового розподілу імплантованих іонів через кумулянти. Розглянуто вирази для різних умов імплантації та проведено аналіз впливу вищих кумулянтів на форму розподілу. Показано, що їх можна врахувати наближено, змінюючи скісність та ексцес розподілу, а тому розподіл іонів можна наближено описати за допомогою чотирьох моментів: проективного пробігу, страглінгу, скісності та ексцесу.
