Зведений каталог бібліотек Києва

 
Пошук Відібрані Опис документа
Початкова сторінка Сайт УФД

ГаврильченГаврильченко, І. В.
    Вплив одновісного стискання на електропровідність поруватого кремнію [Текст] / І.В. Гаврильченко, В.О. Топчий, В.А. Скришевський // Вісник Київського університету. — Київ, 2000. — 2000. — С. 317-323.

- Ключові слова:

електропровідні композиційні матеріали ; кремній, кремний

- Анотація:

Досліджено дію одновісного стискання на вольт-амперні характеристики гетероструктур метал-поруватий Si-Si. Показано, що для електрохімічно вирощеного поруватого Si тензорезистивний коефіцієнт ~ 1.1-2 рази вище ніж для підкладки р- Si (100) і зростає з товщиною поруватого Si. Спостерігається гістерезис характеристик при механічних напругах більше ніж 4*10[у дев"ятому ступені] Па.

- Є складовою частиною документа:

- Теми документа

  • Окремі фонди та колекції КНУ // праці авторів КНУТШ, труды авторов КНУТШ, работы авторов КНУТШ



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Наукова бібліотека ім.М.Максимовича Київського національного університету імені Тараса Шевченка   Перейти на сайт