дислокаційно-домішкова структура кристалів ; монокристали кремнію ; фізика напівпровідників, физика полупроводников
В роботі введено до розгляду поняття бар"єру міграції, який обумовлений енергією зв"язку в комплексі "дислокація-домішка" (Д-Д) та коефіцієнтом дифузії дефектів у даному комплексі. Встановлено залежність параметрів міграції комплексу Д-Д від передісторії зразків кремнію (високотемпературна обробка, металізація), від зовнішнього механічного напруження та температури.
