Показано, що невпорядкованість структури полікристалічних шарів твердих розчинів CdHgTe/CdTe/GaAs призводить до виникнення високотемпературної електропровідності моттівського типу, обумовленої підвищеним ступенем розкиду рівнів дефектів, енергетично близьких до рівнів Фермі.